UltraRAM实现商业化
融合DRAM和NAND优点的新型存储技术UltraRAM，在商业化方面取得了重大进展。
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兼具 DRAM、NAND 优势！新记忆体「UltraRAM」已準备投入量產
ULTRARAM（或UltraRAM）是一款结合了 DRAM 的高速与NAND Flash 的非挥发性特性的新型通用记忆体技术，它採用III-V族半导体材料并利用量子穿隧效应来储存资料。 该技术由 Quinas Technology 开发，具备超低功耗、极高的
人工神经元将 DRAM 与 MoS₂ 电路融合，更好地模拟类似大脑的适应性
复旦大学研究团队开发出一种革命性的人工神经元器件，成功将传统计算机内存与超薄半导体材料结合，创造出能够真正模拟大脑适应性学习的硬件系统。这项发表在《自然电子学》杂志上的研究成果，标志着神经形态计算领域的重大突破，为下一代人工智能硬件奠定了坚实基础。
新一代内存UltraRAM准备投入量产 资料保存能力达千年
UltraRAM的开发公司Quinas Technology过去一年持续与先进晶圆产品制造商IQE合作，致力将UltraRAM内存的制程推进到工业化规模。
兼具DRAM和NAND优势！UltraRAM迈向量产
结合DRAM、NAND优点的新型存储器UltraRAM已经大幅推进其商业化进程。 综合外媒报道，UltraRAM的开发公司Quinas Technology过去一年持续与先进晶圆产品制造商IQE合作，致力将UltraRAM内存的制程推进到工业化规模。
台积电2纳米泄密案有新进展；追觅科技官宣造车；SK海力士供应业界首款高效散热移动DRAM | 新闻速递
台积电2纳米泄密案有新进展中芯国际2025上半年净利润3.2亿美元，同比增长35.6%追觅科技官宣造车消息称LG劝说苹果在未来iPhone中采用iPad Pro双层串联OLED技术SK海力士供应业界首款高效散热移动DRAM因泄露韩国约一半人口的数据，SK电信被
突破DRAM和SRAM瓶颈
静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）均已停止规模化发展：目前没有能降低其单位成本（每字节 / 每 GB）的技术路线。因此，内存现已成为系统成本的主要组成部分。本文主张从当前简单的内存层次结构向利用应用程序特定访问模式的专用内存架构进行
SK海力士推出High-K环氧模塑料移动DRAM，热导率提升3.5倍
2025年8月27日，SK海力士宣布已开始向客户供应采用High-K环氧模塑料的移动DRAM产品。这是业界首款采用该创新材料的高效散热DRAM，标志着移动存储技术的重要突破。
SK海力士推出业界首款基于High-K EMC材料的高效散热移动DRAM
据介绍，EMC（环氧模封料，Epoxy Molding Compound）用于密封保护半导体免受湿气、热气、冲击和静电等外部环境影响，并起到散热通道作用的半导体后工艺中必要材料。High-K EMC是指在EMC中使用热导系数（K值）更高的材料，从而提高热导率（
存储大厂首发“High-K EMC”高效散热移动DRAM！
产品封装中采用“High-K EMC”，热导率提高到3.5倍，热阻降低47%有助解决端侧AI运行时产生的发热问题，获得了全球客户高度评价“通过材料技术创新，引领新一代移动DRAM市场”
SK海力士开始供应高热效移动DRAM产品，以解决智能手机过热问题
SK海力士公司周四表示，已开始供应高效散热的移动动态随机存取存储器（DRAM）产品，以应对人工智能（AI）设备的耗电量日益增加的问题。
SK海力士开始供应业界首款采用新材料的高效散热移动DRAM
据IT之家了解，EMC（环氧模封料，Epoxy Molding Compound）用于密封保护半导体免受湿气、热气、冲击和静电等外部环境影响，并起到散热通道作用的半导体后工艺中必要材料。High-K EMC 是指在 EMC 中使用热导系数（K 值）更高的材料，
存储新突破，UltraRAM量产有戏
近日，长期处于研发阶段的UltraRAM内存技术传来商业化推进的重要消息：先进晶圆产品供应商IQE plc已完成一项为期一年的专项项目，成功开发出适配该技术的可扩展外延工艺。IQE首席执行官Jutta Meier明确表示，这一成果标志着UltraRAM向工业化
科学家实现沉积工艺突破，成功开发120层高密度3D DRAM结构
众所周知，现在 NAND 闪存普遍采用 3D 堆叠结构。短短十年内，3D NAND 层数就从 2014 年的 24 层增加到了 SK 海力士的 321 层（2024 年 11 月宣布量产），而我国的长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存据传也达到了 29
打造下一代3D DRAM
想象一下，用数百片非常薄、略有不同的材料薄片建造一座塔，每片薄片都会自行弯曲或变形。这正是比利时微电子研究中心 (IMEC) 和根特大学的研究人员在 300 毫米晶圆上交替生长 120 层硅 (Si) 和硅锗 (SiGe) 材料时所取得的成果——这是迈向三维
AI时代，这家国产存储企业悄然崛起，备受关注
OpenAI的创始人奥特曼表示，准备筹划万亿级AI基建。美国科技巨头微软（MSFT.O）、Meta（META.O）、Alphabet（GOOG.O）等也纷纷加码AI资本开支，要在这场科技竞赛中占据一席之地。
大为创芯喜获“科技型中小企业”认定！
近日，深圳市工业和信息化局公布了“深圳市2025年第一批入库科技型中小企业”名单，大为创芯凭借专业的研发实力和技术创新能力，成功获得“科技型中小企业”认定。
存储芯片迎来复苏周期，NAND和DRAM价格企稳回升
佰维存储在2025年半年度业绩交流会上透露，存储行业正经历关键性转折时刻。2025年一季度，闪迪、长存、美光等主要存储企业相继发布涨价函，部分产品价格已呈现企稳回升态势。
美光回应在华业务调整：全球战略调整一部分，退出移动NAND产品市场
8月13日，美光正面回应称，此次调整是全球战略调整的一部分——由于移动NAND产品在市场持续疲软，增长低于其他NAND机会，公司决定全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5（第五代通用闪存存储）的开发计划。
或停止移动NAND开发，这一存储大厂业务调整
美光表示，鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他NAND机会增长放缓，美光将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5（第五代通用闪存存储）的开发。